BJT npn BFG198 Philips Semiconductors
Poichè i prototipi realizzati con il dispositivo attivo presentato precedentemente non hanno avuto un esito positivo, in quanto il picco della tensione vce ne determinava la rottura, è stato scelto un altro dispositivo attivo, anch’esso un bjt npn, che presenta un valore massimo della vce = 10 V, pari a poco più del doppio del precedente.
Si tratta del bjt npn della Philips Semiconductors BFG198, un transistor per applicazioni a banda larga avente frequenza di transizione fT = 8 GHz, massimo guadagno di potenza unilaterale GUM = 15 dB @ f = 800 MHz e potenza totale dissipabile Ptot = 1 W, come si evince dalle tabelle estratte dal data sheet.
Tab. VII: Valori di riferimento per il bjt npn BFG198.
Tab. VIII: Valori limite per bjt npn BFG198 secondo la normativa IEC 134.
Il dispositivo, che presenta un alto guadagno e un’eccellente valore della tensione d’uscita, è disponibile con package di tipo plastico SOT-223 ed il modello era presente nel simulatore.
Tab. IX: Caratteristiche di funzionamento a T = 25°C per BFG198.
La scelta di questo componente ha influenzato notevolmente il progetto ed, in particolare, la frequenza di funzionamento del PA: infatti quest’ultima è stata fissata pari a 700 MHz per sfruttare al meglio il bjt, semplificando alcuni aspetti progettuali.
La progettazione di un prototipo scalato in frequenza ha permesso altresì di rendere meno critico il dimensionamento delle linee di trasmissione, sia in fase di simulazione che di realizzazione.
Fig. 41.4: Package SOT223.
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